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二手N5182B信號發(fā)生器的產(chǎn)品介紹
二手N5182B信號發(fā)生器的產(chǎn)品介紹

N5182B是是德科技的MXGX系列高性能射頻矢量信號發(fā)生器,其頻率范圍可至6GHz,660是其一個選件代碼,代表升級為具有實時功能的基帶發(fā)生器。以下是具體介紹:1、主要特性(1)頻率范圍:選件506可使頻率范圍達到9kHz至6GHz。(2)輸出功率:3GHz時提供+24dBm功...

2025-03-12
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  • 揭秘真實的mosfet驅(qū)動波形

    高共模抑制比隔離探頭OP6030測試方案差分探頭測量半橋上管MOSFET驅(qū)動波形失真的真實原因——高頻段CMRR不夠!在開關(guān)電源和逆變器等電力電子設(shè)備的開發(fā)中,差分探頭可以很好地用來測量MOSFET、IGBT的各種電壓波形,如VDS/VGS。但工程師在測試半橋的上管的驅(qū)動波形時經(jīng)常遇到困惑,反映如下的問題:1:MOSFET的驅(qū)動波形和理想的驅(qū)動波形差距太大2:不同廠家的差分探頭測量驅(qū)動信號千差萬別3:即使同樣型號的差分探頭測出的波形也會有所不同圖1是你以為的MOSFET驅(qū)動波...

    20207-1
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  • 大電流直流電流測試選型方案

    ?索引:日常生活中,手機快充的電流可以達到5A,充電樁的電流瀕臨600A,逆變器的電流甚至達到上千安培。面對越來越大的待測電流,除了常規(guī)的示波器、功率計、功率分析儀、電能質(zhì)量分析儀等測試主機,還需要搭配專門的電流傳感器,才可以進行安全、準確的測試和分析。一、概述:電流分為交流電和直流電,直流電的大電流測試是比較常見的測試難題。根據(jù)大電流存在時間,電流傳感器選擇如下:1.如果是瞬間直流電流或者脈沖直流電流,用剛性羅氏線圈或者柔性羅氏線圈;2.如果是長時間的直流電流,2000A以...

    20206-29
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  • 上管驅(qū)動電壓的差分測試方案

    索引:傳統(tǒng)的差分探頭的共模抑制比在高頻段下降很快,導(dǎo)致準確測量高共模干擾電壓下的小電壓信號波形(比如測量半橋電路的上管的驅(qū)動電壓)極其困難。OP6030釆用了射頻隔離技術(shù),從而在整個工作帶寬(50MHz)內(nèi)具有超高的共模抑制比,可以幫助我們的客戶用很低的成本完成這類挑戰(zhàn)性的測量。一、概述:在開關(guān)電源﹑電機驅(qū)動器、新能源逆變器、變頻器﹑照明電源﹑變頻家電和其它電氣功率裝置等的研發(fā)﹑調(diào)試或檢修工作中,需要對高共模電壓情況下的差模小信號進行準確測量,比如上橋MOSFET柵極驅(qū)動信號...

    20206-29
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  • 砷化鎵GaAs的電流測試方案

    索引:如何使用和選擇測電流的羅氏線圈?羅氏線圈即柔性電流探頭,配合示波器、功率計/功率分析儀、數(shù)據(jù)采集儀、記錄儀和電能質(zhì)量分析儀進行交流電流和脈沖直流測試?。?!用于探測新能源、元器件、集成電路和電動汽車產(chǎn)生的高頻大電流。一、概述:砷化鎵(英文名稱為Galliumarsenide,化學(xué)式為GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,是很重要的半導(dǎo)體材料,被用來制作像微波集成電路(例如單晶微波集成電路(MMIC))、紅外線發(fā)光二極管、雷射二極管和太陽電池等元件。GaAs擁有一些比S...

    20206-16
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  • 碳化硅SiC的電流測試方案

    索引:如何使用和選擇測電流的羅氏線圈?羅氏線圈即柔性電流探頭,配合示波器、功率計/功率分析儀、數(shù)據(jù)采集儀、記錄儀和電能質(zhì)量分析儀進行交流電流和脈沖直流測試!??!用于探測新能源、元器件、集成電路和電動汽車產(chǎn)生的高頻大電流。一、概述:碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物,在大自然也存在罕見的礦物--莫桑石。由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。較簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。碳化硅至少有70種結(jié)晶型態(tài)。α-碳化硅較為...

    20206-16
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  • 氮化鎵的電流測試方案

    ?索引:如何使用和選擇測電流的羅氏線圈?羅氏線圈即柔性電流探頭,配合示波器、功率計/功率分析儀、數(shù)據(jù)采集儀、記錄儀和電能質(zhì)量分析儀進行交流電流和脈沖直流測試?。?!用于探測新能源、元器件、集成電路和電動汽車產(chǎn)生的高頻大電流。一、概述:氮化鎵,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使...

    20206-16
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  • 羅氏線圈和電流互感器的區(qū)別

    ?一、產(chǎn)品綜述:電流互感器,CT即:currenttransformer,電力系統(tǒng)中廣泛采用的是電磁式電流互感器(以下簡稱電流互感器)。它是依據(jù)電磁感應(yīng)原理將一次側(cè)大電流轉(zhuǎn)換成二次側(cè)小電流來測量的儀器,由閉合的鐵心和繞組組成。柔性電流探頭,即羅氏線圈。它是一種交流電流傳感器,由一個均勻纏繞在非鐵磁性材料上的環(huán)形線圈和積分器構(gòu)成,輸出信號是電流對時間的微分,可以直接套在被測量的導(dǎo)體上來測量交流電流。二、共同點和區(qū)別1、共同點:①測量范圍廣,安全系數(shù)高,都可以測交流電流。②安裝方...

    20206-15
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  • 近場探頭應(yīng)用和選型指南

    索引:如何使用和選擇EMI故障診斷的近場探頭?近場探頭也是射頻干擾探頭。配合50Ω示波器、接收機、頻譜分析儀進行電場和磁場輻射干擾測試?。?!用于探測印刷電路板、元器件、集成電路和電磁干擾源產(chǎn)生的輻射發(fā)射。一、概述:近場電磁干擾(EMI)測試是電磁兼容性(EMC)輻射發(fā)射預(yù)兼容測試中的一個重要組成。EMI機構(gòu)使用EMI接收機和經(jīng)過準確校準的天線來測試3或10米距離上的器件,這稱為遠場測量。電磁場的特性主要由被測器件(DUT)以及它與接收機和天線的距離決定。遠場輻射發(fā)射測量可以準...

    20206-12
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  • 柔性電流探頭與CT電流互感器的區(qū)別

    ?一、產(chǎn)品綜述:電流互感器,CT即:currenttransformer,電力系統(tǒng)中廣泛采用的是電磁式電流互感器(以下簡稱電流互感器)。它是依據(jù)電磁感應(yīng)原理將一次側(cè)大電流轉(zhuǎn)換成二次側(cè)小電流來測量的儀器,由閉合的鐵心和繞組組成。柔性電流探頭,即羅氏線圈。它是一種交流電流傳感器,由一個均勻纏繞在非鐵磁性材料上的環(huán)形線圈和積分器構(gòu)成,輸出信號是電流對時間的微分,可以直接套在被測量的導(dǎo)體上來測量交流電流。二、共同點和區(qū)別1、共同點:①測量范圍廣,安全系數(shù)高,都可以測交流電流。②安裝方...

    20206-3
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  • 電流互感器的操作規(guī)程及注意事項

    為了研究電流互感器的工作特性,并確定它在保護外部故障免受大電流通過時是否會飽和并影響保護操作的正確性,可以通過一些測試方法進行測試。直接測試方法是在次級側(cè)承受實際負載,從初級側(cè)施加電流,并觀察次級電流以找到互感器的飽和點。但是,對于保護級互感器,其飽和點可能會超過額定電流的15至20倍。當互感器變大時,可能難以在現(xiàn)場進行測試,此外,還可以通過伏安特性測試來測量互感器的飽和點?;ジ衅鞯娘柡投仁怯捎阼F芯的過大磁通密度而計算出的電流互感器的飽和電流。伏安特性的測試方法是:原始側(cè)斷開...

    20206-1
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  • LEM電流互感器運行可靠,安裝方便

    LEM電流互感器是電力行業(yè)的設(shè)備,一般用于各種電力儀器之中用于測量、保護之用。與普通互感器相比具有體積較小,精度較高等特點?;ジ衅魇窃诙蝹?cè)并聯(lián)電阻的互感器,輸出為電流。電流互感器中的微型電流變換器是在二次側(cè)并聯(lián)電阻,輸出為電壓,分為多匝繞線式(插在電路板)和穿心式兩種使用方式。電流互感器是電纜型,采用ABS工程塑料外殼,樹脂澆注成全密封,絕緣性能好,外形美觀,具有靈敏度高,線性度好,運行可靠,安裝方便等特點,其性能優(yōu)于一般的零序電流互感器。應(yīng)用范圍廣泛,不僅適應(yīng)電磁型繼電保...

    20205-20
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  • 數(shù)字示波器和寬帶功率放大器構(gòu)成的磁化曲線 BH 分析儀

    1軟磁材料的測量磁性元件變壓器和電感在開關(guān)電源和其他的電子設(shè)備里面大量使用。磁性元件主要由采用軟磁材料的磁芯和線圈構(gòu)成。軟磁材料的性能決定了變壓器和電感的性能。目前常用的電橋只能測量在小信號下的磁性元件的性能:電感量和Q值,不能直接反映磁性元件所用的磁性材料的真實性能。目前能夠測試磁性材料的全面參數(shù)的儀器只有磁化曲線BH分析儀。BH分析儀可以測試軟磁材料在磁化過程中磁感強度B與磁場強度H之間關(guān)系的一系列BH曲線。通過分析這些曲線,可以得到磁性材料在不同的激勵頻率下的磁參數(shù)Bm...

    20204-13
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